标题:
DDR2与DDR的区别
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作者:
ZHANGWEI378
时间:
2009-2-28 12:57
标题:
DDR2与DDR的区别
与
DDR
相比，
DDR2
最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于
DDR
内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个
DRAM
核心来实现的。作为对比，在每个设备上
DDR
内存只能够使用一个
DRAM
核心。技术上讲，
DDR2
内存上仍然只有一个
DRAM
核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理
4
个数据而不是两个数据。
DDR2
与
DDR
的区别示意图
与双倍速运行的数据缓冲相结合，
DDR2
内存实现了在每个时钟周期处理多达
4bit
的数据，比传统
DDR
内存可以处理的
2bit
数据高了一倍。
DDR2
内存另一个改进之处在于，它采用
FBGA
封装方式替代了传统的
TSOP
方式。
然而，尽管
DDR2
内存采用的
DRAM
核心速度和
DDR
的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配
DDR2
内存，因为
DDR2
的物理规格和
DDR
是不兼容的。首先是接口不一样，
DDR2
的针脚数量为
240
针，而
DDR
内存为
184
针；其次，
DDR2
内存的
VDIMM
电压为
1.8V
，也和
DDR
内存的
2.5V
不同。
DDR2
的定义：
DDR2
（
Double Data Rate 2
）
SDRAM
是由
JEDEC
（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代
DDR
内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升
/
下降延同时进行数据传输的基本方式，但
DDR2
内存却拥有两倍于上一代
DDR
内存预读取能力（即：
4bit
数据读预取）。换句话说，
DDR2
内存每个时钟能够以
4
倍外部总线的速度读
/
写数据，并且能够以内瞂
X
刂谱芟
?
倍的速度运行。
此外，由于
DDR2
标准规定所有
DDR2
内存均采用
FBGA
封装形式，而不同于目前广泛应用的
TSOP/TSOP-II
封装形式，
FBGA
封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为
DDR2
内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起
DDR
的发展历程，从第一代应用到个人电脑的
DDR200
经过
DDR266
、
DDR333
到今天的双通道
DDR400
技术，第一代
DDR
的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着
Intel
最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的
DDR2
内存将是大势所趋。
DDR2
与
DDR
的区别：
在了解
DDR2
内存诸多新技术前，先让我们看一组
DDR
和
DDR2
技术对比的数据。
1
、延迟问题：
从上表可以看出，在同等核心频率下，
DDR2
的实际工作频率是
DDR
的两倍。这得益于
DDR2
内存拥有两倍于标准
DDR
内存的
4BIT
预读取能力。换句话说，虽然
DDR2
和
DDR
一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但
DDR2
拥有两倍于
DDR
的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样
100MHz
的工作频率下，
DDR
的实际频率为
200MHz
，而
DDR2
则可以达到
400MHz
。
这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的
DDR
和
DDR2
内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，
DDR 200
和
DDR2-400
具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，
DDR2-400
和
DDR 400
具有相同的带宽，它们都是
3.2GB/s
，但是
DDR400
的核心工作频率是
200MHz
，而
DDR2-400
的核心工作频率是
100MHz
，也就是说
DDR2-400
的延迟要高于
DDR400
。
2
、封装和发热量：
DDR2
内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于
DDR
的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，
DDR2
可以获得更快的频率提升，突破标准
DDR
的
400MHZ
限制。
DDR
内存通常采用
TSOP
芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在
200MHz
上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是
DDR
的核心频率很难突破
275MHZ
的原因。而
DDR2
内存均采用
FBGA
封装形式。不同于目前广泛应用的
TSOP
封装形式，
FBGA
封装提供了更好的电气性能与散热性，为
DDR2
内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
DDR2
内存采用
1.8V
电压，相对于
DDR
标准的
2.5V
，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。
DDR2
采用的新技术：
除了以上所说的区别外，
DDR2
还引入了三项新的技术，它们是
OCD
、
ODT
和
Post CAS
。
OCD
（
Off-Chip Driver
）：也就是所谓的离线驱动调整，
DDR II
通过
OCD
可以提高信号的完整性。
DDR II
通过调整上拉（
pull-up
）
/
下拉（
pull-down
）的电阻值使两者电压相等。使用
OCD
通过减少
DQ-DQS
的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
ODT
：
ODT
是内建核心的终结电阻器。我们知道使用
DDR SDRAM
的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。
DDR2
可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用
DDR2
不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是
DDR
不能比拟的。
Post CAS
：它是为了提高
DDR II
内存的利用效率而设定的。在
Post CAS
操作中，
CAS
信号（读写
/
命令）能够被插到
RAS
信号后面的一个时钟周期，
CAS
命令可以在附加延迟（
Additive Latency
）后面保持有效。原来的
tRCD
（
RAS
到
CAS
和延迟）被
AL
（
Additive Latency
）所取代，
AL
可以在
0
，
1
，
2
，
3
，
4
中进行设置。由于
CAS
信号放在了
RAS
信号后面一个时钟周期，因此
ACT
和
CAS
信号永远也不会产生碰撞冲突。
总的来说，
DDR2
采用了诸多的新技术，改善了
DDR
的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决
作者:
杨峰
时间:
2009-2-28 13:19
你这个资料是什么时候的啊
现在的DDR2比DDR便宜啊。
作者:
xiaogu
时间:
2009-2-28 13:32
楼主找这个资料花了不少时间吧，DDR基本没得卖了
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现在的DDR2比DDR便宜啊。